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GK-IGBT-3000AIGBT功率循環
適用于各種封裝的IGBT模塊進行K系數測試、穩態熱阻測試及功率循環試驗。
技術特點：
1、高精度和高穩定性，可替代國外設備；
2、采樣速率1MHz/s；最快1us去掉加熱電流；
3、支持雙界面熱阻測試和結構函數測試；
4、支持多種方式實現SiC器件功率循環；
heating
高溫加熱
內部加熱 保持不壞
真金不怕火煉，超強耐高溫
超級耐高溫
保持高品質
內部加熱原理
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